ซีรีส์ CMKD-252012A เป็นตัวเหนี่ยวนำแบบขึ้นรูป SMD ขนาดเล็ก-โปรไฟล์ต่ำพิเศษ- เป็นหนึ่งในตัวเหนี่ยวนำที่มีขนาดกะทัดรัดที่สุดในกลุ่มผลิตภัณฑ์ CMKD โดยมีขนาดที่เล็กเพียง 2.5 มม. × 2.0 มม. และความสูงสูงสุดที่บางเฉียบเพียง 1.2 มม.

ซีรีส์นี้ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมมาโดยเฉพาะสำหรับการใช้งาน-ความหนาแน่นสูง พื้นที่-ที่สำคัญ ใช้โครงสร้างป้องกันแม่เหล็กชิ้นเดียว-จากวัสดุแกนเหล็กผงเพื่อให้แน่ใจว่า EMI ต่ำและการสูญเสียแกนต่ำในบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็ก ปรับให้เหมาะสมสำหรับตัวแปลง DC- ความถี่สูง (สูงถึง 5MHz) DC- ตัวเหนี่ยวนำ SMD ขนาดเล็กนี้เป็นตัวเลือกที่เหมาะสำหรับรางจ่ายไฟของสมาร์ทโฟน โมดูล SSD และอุปกรณ์มือถืออื่นๆ CMKD-252012A มีจำหน่ายในร้านค้าออนไลน์ของตัวเหนี่ยวนำของเรา และเป็นตัวเหนี่ยวนำพลังงานที่ดีเยี่ยมสำหรับโมดูล POL ของสมาร์ทโฟน

คุณสมบัติที่สำคัญ

รอยเท้าขนาดเล็ก:2.5 มม. × 2.0 มม.

โปรไฟล์ต่ำมาก-:ความสูงสูงสุด 1.2 มม.

การก่อสร้างแบบหล่อ:ป้องกันสนามแม่เหล็กสำหรับ EMI ต่ำ เหมาะสำหรับ PCB ที่มีความหนาแน่นสูง

การทำงานความถี่สูง:เหมาะสำหรับความถี่สูงถึง 5MHz

สารละลายที่มีความหนาแน่นสูง-:เหมาะสำหรับพื้นที่-แอปพลิเคชันมือถือที่มีพื้นที่จำกัด

ฮาโลเจน-ฟรี & เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS.

อุณหภูมิในการทำงาน:-55 องศาถึง +125 องศา

การใช้งาน

การออกแบบขนาดเล็กของ CMKD-252012A เป็นสิ่งจำเป็นสำหรับวงจรไฟฟ้าที่เล็กที่สุด:

โมดูล POL ของสมาร์ทโฟน

โมดูล SSD

โมดูลจุด-ของ-โหลด (POL)

อุปกรณ์สวมใส่ได้

ตัวควบคุมโน้ตบุ๊กความหนาแน่นสูง-

ลักษณะทางไฟฟ้า

หมายเลขชิ้นส่วน	ตัวเหนี่ยวนำ (L₀) (µH) (±20%)	สภาพการทดสอบ	ประเภท DCR (mΩ)	DCR (mΩ) สูงสุด	อิซัท (A) TYP.	Idc (A) ประเภท
CMKD-252012A-R47M	0.47	1MHz, 1V	29	39	4.7	4.4
CMKD-252012A-1R0M	1.0	1MHz, 1V	45	59	3.8	3.5
CMKD-252012A-1R5M	1.5	1MHz, 1V	60	72	3.3	2.8
CMKD-252012A-2R2M	2.2	1MHz, 1V	90	108	2.7	2.3
CMKD-252012A-3R3M	3.3	1MHz, 1V	120	144	2.3	1.7
CMKD-252012A-4R7M	4.7	1MHz, 1V	200	240	1.9	1.5
CMKD-252012A-6R8M	6.8	1MHz, 1V	310	375	1.6	1.2
CMKD-252012A-100M	10.0	1MHz, 1V	460	400	1.3	1.0

หมายเหตุ:

เงื่อนไขการทดสอบ:ข้อมูลการทดสอบทั้งหมดอ้างอิงถึงอุณหภูมิแวดล้อม 25 องศา

ช่วงอุณหภูมิในการทำงาน:-55 องศาถึง +125 องศา (อุณหภูมิโดยรอบบวกอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นเอง)

Isat (กระแสอิ่มตัว):กระแสไฟตรง (A) ซึ่งจะทำให้ L₀ ลดลงประมาณ 30%

Idc (เรตติ้งปัจจุบัน):กระแสไฟตรง (A) ที่จะทำให้เกิดค่า ΔT ประมาณ 40 องศา

ขีดจำกัดอุณหภูมิ:อุณหภูมิชิ้นส่วน (สภาพแวดล้อม + อุณหภูมิที่เพิ่มขึ้น) ไม่ควรเกิน 125 องศา ภายใต้สภาวะการทำงานที่แย่ที่สุด-

กราฟประสิทธิภาพ

product-948-365

product-979-381

รูปร่างและขนาด

product-853-533

product-826-472

ความน่าเชื่อถือ

ผลิตภัณฑ์นี้ผ่านการรับรองโดยการทดสอบทางกลและความทนทานหลายชุด รวมถึงการบัดกรีความร้อน การกระแทกจากความร้อน ความต้านทานต่อความชื้น และการสั่นสะเทือน (ดูรายละเอียดทั้งหมดในรูปแบบ PDF หน้า 24)